华南理工大学2006年半导体物理考研试题

一、解释下列概念：（20分）
1、霍尔效应：2、共有化运动 3、杂质补偿 4、肖特基势垒
5、 非平衡载流子寿命

二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分）

三、简述产生半导体激光的基本条件。（10分）

四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。（10分）

五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明其含义。（15分）

• 华南理工大学2005年物理化学(一)考研试卷.rar
• 华南理工大学2005年物理化学(二)考研试卷.rar
• 华南理工大学2005年无机材料工艺原理考研试卷.rar
• 华南理工大学2005年金属学及热处理考研试卷.rar
• 华南理工大学2005年高分子物理考研试题.rar